Hôm thứ Hai, Chủ tịch điều hành Samsung Electronics, ông Lee Jae-yong, đã đến thăm các khu phức hợp sản xuất chip của công ty tại tỉnh Gyeonggi, nhấn mạnh sự phục hồi hiệu suất sản xuất chip gần đây của bộ phận Giải pháp Thiết bị (DS).
Theo công ty, ông Lee đã đến thăm công trường xây dựng NRD-K, một khu phức hợp nghiên cứu và phát triển rộng 109.000 mét vuông mà Samsung đang xây dựng tại quận Giheung, thành phố Yongin, tỉnh Gyeonggi, với tổng vốn đầu tư 20 nghìn tỷ won (13,5 tỷ USD) đến năm 2030.
NRD-K bắt đầu lắp đặt các cơ sở của mình vào tháng 11 năm ngoái, bao gồm thiết bị quang khắc cực tím độ phân giải cao để phát triển chất bán dẫn bộ nhớ thế hệ tiếp theo, các công cụ lắng đọng vật liệu mới và cơ sở hạ tầng liên kết wafer được thiết kế để tạo ra các cấu trúc kết nối hai wafer với nhau.
Trong chuyến thăm, ông Lee đã được nghe báo cáo về những cập nhật mới nhất trong các công nghệ thế hệ tiếp theo dành cho bộ nhớ, xưởng đúc và chất bán dẫn hệ thống, đồng thời tham quan các cơ sở nghiên cứu và phát triển mới được lắp đặt tại cụm công nghệ này.
Ông cũng đã đến thăm Khuôn viên Hwaseong của bộ phận này tại tỉnh Gyeonggi, nơi ông đã xem xét các hệ thống tự động hóa sản xuất được hỗ trợ bởi công nghệ bản sao kỹ thuật số và robot, cũng như việc sử dụng công nghệ trí tuệ nhân tạo trong toàn bộ hoạt động của khuôn viên.
Trong chuyến thăm các địa điểm, ông Lee đã có cuộc gặp với Phó Chủ tịch kiêm Giám đốc bộ phận DS của Samsung Electronics, ông Jun Young-hyun, Giám đốc Công nghệ bộ phận DS, ông Song Jai-hyuk và các lãnh đạo cấp cao khác để thảo luận về những phát triển mới nhất trong ngành công nghiệp bán dẫn.
Theo Samsung Electronics, trong chuyến thị sát, ông Lee đã kêu gọi công ty “khôi phục năng lực cạnh tranh công nghệ cốt lõi thông qua đổi mới và đầu tư táo bạo”.
Ông cũng đã tổ chức một cuộc họp riêng với các nhân viên trong bộ phận phát triển, sản xuất và kiểm soát chất lượng, lắng nghe phản hồi từ các nhân viên tuyến đầu đã đóng góp vào việc thương mại hóa các sản phẩm bán dẫn tiên tiến, bao gồm bộ nhớ băng thông cao (HBM), DRAM D1c và bộ nhớ flash NAND V10.
Chuyến thăm của ông Lee được xem là một động thái nhằm khích lệ các nhân viên và nhà nghiên cứu của bộ phận, những người đã cho thấy sự cải thiện đáng kể về hiệu suất làm việc trong nửa cuối năm nay.
Trong quý đầu năm, Samsung Electronic đã mất vị trí dẫn đầu thị trường DRAM toàn cầu vào tay đối thủ SK hynix, do chip HBM dành cho bộ tăng tốc trí tuệ nhân tạo (AI) của hãng bị cạnh tranh vượt mặt.
Tuy nhiên, thị phần HBM của công ty đã phục hồi nhanh chóng trong quý 3 và quý 4, khi năng suất sản xuất chip HBM3E 12 lớp ổn định. Bộ phận DS đã đạt doanh thu bán bộ nhớ cao kỷ lục trong quý 3 năm nay, nhờ nhu cầu mạnh mẽ đối với HBM3E của họ.
Nhờ nhu cầu mạnh mẽ đối với Bộ xử lý Tensor của Google, các nhà phân tích dự đoán lợi nhuận hoạt động của bộ phận này sẽ đạt 15 nghìn tỷ won trong quý IV, gấp bốn lần so với cùng kỳ năm ngoái.