Mảng kinh doanh chip của Samsung phục hồi nhờ quy trình mới

 
Nhà máy sản xuất chip của Samsung Electronics ở Pyeongtaek, tỉnh Kyunggi
Nhà máy sản xuất chip của Samsung Electronics ở Pyeongtaek, tỉnh Kyunggi

Bộ phận Giải pháp thiết bị (DS) sản xuất chip của Samsung Electronics sẽ áp dụng các quy trình sản xuất tinh vi hơn, cho phép tính toán nhanh hơn và mạnh hơn, nhằm đảm bảo các đơn đặt hàng từ các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu, làm dấy lên kỳ vọng về sự phục hồi sau thời gian dài suy giảm thu nhập.

Theo các quan chức trong ngành hôm thứ tư, Phó chủ tịch Samsung Electronics và Trưởng bộ phận DS Jun Young-hyun đã đến thăm Hoa Kỳ vào tuần trước và gặp gỡ các đối tác của mình tại các công ty công nghệ lớn toàn cầu, bao gồm cả Nvidia.

Chi tiết về các cuộc họp của ông vẫn chưa được tiết lộ, nhưng có thông tin cho rằng ông đã thảo luận về khả năng cung cấp bộ nhớ băng thông cao (HBM) của Samsung cho bộ xử lý trí tuệ nhân tạo (AI) và năng lực sản xuất chip của công ty.

Cuộc họp diễn ra trong bối cảnh công ty vừa phê duyệt khả năng sẵn sàng sản xuất DRAM theo quy trình 10 nanomet loại 1c. Phê duyệt được cấp cho các sản phẩm sẵn sàng sản xuất hàng loạt.

Quy trình 1c đề cập đến quy trình sản xuất thế hệ thứ sáu trong lớp 10 nanomet, được chia thành sáu giai đoạn — 1x, 1y, 1z, 1a, 1b và 1c. Tiến trình phản ánh kích thước nút nhỏ hơn dẫn đến sức mạnh tính toán lớn hơn và hiệu quả năng lượng cao hơn. Quy trình 1c biểu thị khoảng 11 nanomet.

Theo nguồn tin, Samsung có kế hoạch sử dụng DRAM được sản xuất theo quy trình 1c của mình làm lõi cho HBM4, chip HBM mới nhất và tiên tiến nhất mà Samsung, SK hynix và Micron đang chuẩn bị sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm nay.

SK hynix và Micron đã gửi mẫu chip HBM4 thế hệ tiếp theo của họ cho các khách hàng lớn để thử nghiệm chất lượng, nhưng các chip đã gửi đi được cho là được chế tạo bằng quy trình 1b. Bằng cách sử dụng quy trình 1c, Samsung có kế hoạch làm nổi bật các tính năng khác biệt của HBM4.

Là một phần của kế hoạch này, công ty sẽ tiếp tục mở rộng nhà máy 4 tại Pyeongtaek, tỉnh Gyeonggi. Nhà máy 4 đã được công ty quyết định lắp đặt dây chuyền cho quy trình 1c.

Bộ nhớ băng thông cao 12 lớp 3e của Samsung Electronics
Bộ nhớ băng thông cao 12 lớp 3e của Samsung Electronics

Mảng kinh doanh chip đang thua lỗ của công ty cũng đang tìm cách phục hồi.

Samsung Foundry hiện đang sản xuất chipset T239 của Nvidia bằng quy trình 8 nanomet. T239 là bộ xử lý chính cho Nintendo Switch 2, máy chơi game Nintendo bán chạy nhất từ ​​trước đến nay, bán được 3,5 triệu máy trên toàn cầu trong bốn ngày đầu tiên sau khi phát hành. Các phương tiện truyền thông công nghệ dự đoán rằng Samsung sẽ có thể tạo ra doanh số hơn 1,2 tỷ đô la nhờ máy chơi game này.

Kỳ vọng vào quy trình sản xuất tinh vi hơn của Samsung cũng đang tăng lên. Nhà máy chip của Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ xử lý ứng dụng Exynos 2500 bằng quy trình 3 nanomet cho Galaxy Z Flip 7, sản phẩm sẽ được ra mắt trong sự kiện vào ngày 9 tháng 7.

Người ta đã nghi ngờ về Exynos 2500 khi nó bị loại khỏi dòng sản phẩm hàng đầu Galaxy S25 của Samsung, nhưng gần đây công ty đã cải thiện năng suất sản xuất và thông báo trên trang web của mình rằng bộ xử lý này hiện đang được “sản xuất hàng loạt”.

Vào nửa cuối năm nay, công ty cũng sẽ sản xuất Exynos 2600 với quy trình 2 nanomet cho dòng Galaxy S26.

Theo như đưa tin, nhà máy chip của Samsung cũng đang nỗ lực giành được các đơn đặt hàng cho bộ xử lý ứng dụng thế hệ tiếp theo của Qualcomm và bộ xử lý đồ họa của Nvidia bằng cách tận dụng công nghệ 2 nanomet và công nghệ Gate-All-Around.

Do đó, các nhà phân tích dự báo triển vọng tươi sáng hơn cho thu nhập quý 3 của công ty. Nhà phân tích Song Myung-sub của IM Securities cho rằng lợi nhuận hoạt động của Samsung DS Division sẽ đạt 4,61 nghìn tỷ won trong quý 3 năm nay, tăng 19,43 phần trăm so với cùng kỳ năm ngoái.

“Gần đây, Samsung đã bắt đầu sản xuất toàn diện 1b DDR5 và đang cải thiện năng suất cho quy trình 1c của mình”, Song cho biết. “Những diễn biến này cho thấy khả năng phục hồi khả năng cạnh tranh của công ty trong phân khúc DRAM cũ. Tuy nhiên, chứng nhận cho HBM3E 12-high nhắm vào Nvidia dường như bị trì hoãn và thành công của HBM4 dựa trên quy trình 1c vẫn chưa chắc chắn”.

Nguồn: theo koreatimes

Để lại một bình luận